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MRF8S26120HSR3

MRF8S26120HSR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRF8S26120HSR3
PNEDA Teilenummer MRF8S26120HSR3
Beschreibung FET RF 65V 2.69GHZ NI780S
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.474
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 9 - Jan 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MRF8S26120HSR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF8S26120HSR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF8S26120HSR3, MRF8S26120HSR3 Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 554,03 KB)
PDFMRF8S26120HSR3 Datenblatt Cover
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MRF8S26120HSR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.69GHz
Gewinn15.6dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest900mA
Leistung - Leistung28W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-780S
LieferantengerätepaketNI-780S

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

13.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

12A

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

25W

Spannung - Nennspannung

65V

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Lieferantengerätepaket

SOT502B

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

4GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

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Rauschzahl

0.45dB

Stromtest

15mA

Leistung - Leistung

11dBm

Spannung - Nennspannung

4V

Paket / Fall

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

894MHz

Gewinn

19.7dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

15A

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

160W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502A

Lieferantengerätepaket

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