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MRF8S21200HSR6

MRF8S21200HSR6

Nur als Referenz

Teilenummer MRF8S21200HSR6
PNEDA Teilenummer MRF8S21200HSR6
Beschreibung FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS
Hersteller NXP
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Auf Lager 8.604
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MRF8S21200HSR6 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF8S21200HSR6
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF8S21200HSR6, MRF8S21200HSR6 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 630,97 KB)
PDFMRF8S21200HSR6 Datenblatt Cover
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MRF8S21200HSR6 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz2.14GHz
Gewinn18.1dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.4A
Leistung - Leistung48W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-1230S
LieferantengerätepaketNI-1230S

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-

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Frequenz

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Gewinn

15dB

Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

9A

Rauschzahl

-

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

100W

Spannung - Nennspannung

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Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

-

Gewinn

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-

Nennstrom (Ampere)

40mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

25V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.88GHz ~ 2.025GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

400mA

Leistung - Leistung

200W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

OM780-4

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NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

170W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-1230

Lieferantengerätepaket

NI-1230

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.93GHz ~ 1.99GHz

Gewinn

17.2dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

49A

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

40W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

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