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MRF8S21200HSR6

MRF8S21200HSR6

Nur als Referenz

Teilenummer MRF8S21200HSR6
PNEDA Teilenummer MRF8S21200HSR6
Beschreibung FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS
Hersteller NXP
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Auf Lager 8.604
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MRF8S21200HSR6 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF8S21200HSR6
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF8S21200HSR6, MRF8S21200HSR6 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 630,97 KB)
PDFMRF8S21200HSR6 Datenblatt Cover
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MRF8S21200HSR6 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz2.14GHz
Gewinn18.1dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.4A
Leistung - Leistung48W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-1230S
LieferantengerätepaketNI-1230S

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Serie

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40mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

25V

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

170W

Spannung - Nennspannung

65V

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NI-1230

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

34A

Rauschzahl

-

Stromtest

1.2A

Leistung - Leistung

20W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502A

Lieferantengerätepaket

LDMOST

MAGX-001214-500L00

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Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

HEMT

Frequenz

1.2GHz ~ 1.4GHz

Gewinn

19.22dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

18.1A

Rauschzahl

-

Stromtest

400mA

Leistung - Leistung

500W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Serie

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Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

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