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MRF8S21140HSR3

MRF8S21140HSR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRF8S21140HSR3
PNEDA Teilenummer MRF8S21140HSR3
Beschreibung FET RF 65V 2.14GHZ NI780S
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.006
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF8S21140HSR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF8S21140HSR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF8S21140HSR3, MRF8S21140HSR3 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 264,34 KB)
PDFMRF8S21140HSR3 Datenblatt Cover
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MRF8S21140HSR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.14GHz
Gewinn17.9dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest970mA
Leistung - Leistung34W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-780S
LieferantengerätepaketNI-780S

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

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Gewinn

17dB

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Nennstrom (Ampere)

8A

Rauschzahl

-

Stromtest

350mA

Leistung - Leistung

15W

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-

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Frequenz

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Gewinn

21dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

11A

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

125W

Spannung - Nennspannung

150V

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.62GHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

300mA

Leistung - Leistung

14W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI780-4

Lieferantengerätepaket

NI-780-4

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

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Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

2.7GHz ~ 3.5GHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

125mA

Leistung - Leistung

60W

Spannung - Nennspannung

150V

Paket / Fall

20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

20-TSSOP

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