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MRF8S21140HR5

MRF8S21140HR5

Nur als Referenz

Teilenummer MRF8S21140HR5
PNEDA Teilenummer MRF8S21140HR5
Beschreibung FET RF 65V 2.14GHZ NI780
Hersteller NXP
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Auf Lager 6.408
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MRF8S21140HR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF8S21140HR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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MRF8S21140HR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.14GHz
Gewinn17.9dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest970mA
Leistung - Leistung34W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-957A
LieferantengerätepaketNI-780H-2L

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

3.4GHz ~ 3.6GHz

Gewinn

16.1dB

Spannungstest

48V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

291mA

Leistung - Leistung

180W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

NI-400S-2S

Lieferantengerätepaket

NI-400S-2S

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.3A

Leistung - Leistung

55W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1120B

Lieferantengerätepaket

LDMOST

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.93GHz ~ 1.99GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.15A

Leistung - Leistung

29W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

NI-880S

Lieferantengerätepaket

NI-880S

ATF-33143-TR2G

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

2GHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

4V

Nennstrom (Ampere)

305mA

Rauschzahl

0.5dB

Stromtest

80mA

Leistung - Leistung

22dBm

Spannung - Nennspannung

5.5V

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

PTFA212001F1V4XWSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.14GHz

Gewinn

15.8dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.6A

Leistung - Leistung

50W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

H-37260-2

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