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MRF8S19260HR6

MRF8S19260HR6

Nur als Referenz

Teilenummer MRF8S19260HR6
PNEDA Teilenummer MRF8S19260HR6
Beschreibung FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230-8
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.380
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF8S19260HR6 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF8S19260HR6
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF8S19260HR6, MRF8S19260HR6 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 554,91 KB)
PDFMRF8S19260HSR6 Datenblatt Cover
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MRF8S19260HR6 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz1.99GHz
Gewinn18.2dB
Spannungstest30V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.6A
Leistung - Leistung74W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-1110A
LieferantengerätepaketNI1230-8

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Hersteller

NXP USA Inc.

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Transistortyp

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Frequenz

2.14GHz

Gewinn

17.9dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

970mA

Leistung - Leistung

34W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

400MHz

Gewinn

30dB

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

1dB

Stromtest

18mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

6V

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

CMPAK-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

3.4GHz ~ 3.6GHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

160mA

Leistung - Leistung

2W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-400-240

Lieferantengerätepaket

NI-400-240

PTFA181001HL V1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.88GHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

1µA

Rauschzahl

-

Stromtest

750mA

Leistung - Leistung

100W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

PG-64248-2

SD2942

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

175MHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

40A

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

350W

Spannung - Nennspannung

130V

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