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MRF8S18120HSR3

MRF8S18120HSR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRF8S18120HSR3
PNEDA Teilenummer MRF8S18120HSR3
Beschreibung FET RF 65V 1.81GHZ NI-780S
Hersteller NXP
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Auf Lager 5.724
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MRF8S18120HSR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF8S18120HSR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF8S18120HSR3, MRF8S18120HSR3 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 459,85 KB)
PDFMRF8S18120HSR5 Datenblatt Cover
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MRF8S18120HSR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.81GHz
Gewinn18.2dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest800mA
Leistung - Leistung72W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-780S
LieferantengerätepaketNI-780S

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.9GHz

Gewinn

13.3dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

320W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-1230-4S

Lieferantengerätepaket

NI-1230-4S

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.8MHz ~ 400MHz

Gewinn

26.4dB

Spannungstest

65V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

600W

Spannung - Nennspannung

179V

Paket / Fall

NI780-4

Lieferantengerätepaket

NI-780-4

PD57045S-E

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

945MHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

5A

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

45W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Straight Lead)

BF2040E6814HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

800MHz

Gewinn

23dB

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

40mA

Rauschzahl

1.6dB

Stromtest

15mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

8V

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

PG-SOT143-4

BG5412KE6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

2 N-Channel (Dual)

Frequenz

800MHz

Gewinn

24dB

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

25mA

Rauschzahl

1.1dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

8V

Paket / Fall

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

PG-SOT363-6

Kürzlich verkauft

ZM4744A-GS18

ZM4744A-GS18

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE ZENER 15V 1W DO213AB

3314G-1-103E

3314G-1-103E

Bourns

TRIMMER 10K OHM 0.25W GW TOP ADJ

LPC1788FBD208,551

LPC1788FBD208,551

NXP

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 208LQFP

BA2904SFV-E2

BA2904SFV-E2

Rohm Semiconductor

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SSOPB

1SS319(TE85L,F)

1SS319(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE SCHOTKY GP 40V 100MA SC61B

CDSOT23-T24CAN

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TVS DIODE 24V 40V SOT23

NCN8025AMNTXG

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ON Semiconductor

IC SMART CARD IC2 24-QFN

DSPIC30F4011-30I/PT

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ROTARY ENCODER MAGNETIC PROG

B320A-13-F

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Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 20V 3A SMA

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