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MRF8P20140WHSR3

MRF8P20140WHSR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRF8P20140WHSR3
PNEDA Teilenummer MRF8P20140WHSR3
Beschreibung FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S-4
Hersteller NXP
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Auf Lager 2.538
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF8P20140WHSR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF8P20140WHSR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF8P20140WHSR3, MRF8P20140WHSR3 Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 516,91 KB)
PDFMRF8P20140WHR5 Datenblatt Cover
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MRF8P20140WHSR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz1.88GHz ~ 1.91GHz
Gewinn16dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest500mA
Leistung - Leistung24W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-780S-4
LieferantengerätepaketNI-780S-4

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

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Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

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Gewinn

-

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Rauschzahl

1dB

Stromtest

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Serie

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Frequenz

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Gewinn

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Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

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Rauschzahl

-

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SOT467C

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.805GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

26dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

1.4µA

Rauschzahl

-

Stromtest

104mA

Leistung - Leistung

5W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1212-3

Lieferantengerätepaket

16-HSOP

2N5245

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

15mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

15mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

25V

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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