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MRF8P20100HSR3

MRF8P20100HSR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRF8P20100HSR3
PNEDA Teilenummer MRF8P20100HSR3
Beschreibung FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4
Hersteller NXP
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MRF8P20100HSR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF8P20100HSR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF8P20100HSR3, MRF8P20100HSR3 Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 1.275,51 KB)
PDFMRF8P20100HSR3 Datenblatt Cover
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MRF8P20100HSR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz2.03GHz
Gewinn16dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest400mA
Leistung - Leistung20W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-780S-4
LieferantengerätepaketNI-780S-4

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Hersteller

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Serie

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Transistortyp

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Gewinn

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Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

10mA

Rauschzahl

4dB

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

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Frequenz

2GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

145mA

Rauschzahl

0.4dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

12dBm

Spannung - Nennspannung

4.5V

Paket / Fall

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

HEMT

Frequenz

3GHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

100W

Spannung - Nennspannung

150V

Paket / Fall

SOT-1228A

Lieferantengerätepaket

LDMOST

BLF177CR,112

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

16A

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

150W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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