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MRF7S21110HSR5

MRF7S21110HSR5

Nur als Referenz

Teilenummer MRF7S21110HSR5
PNEDA Teilenummer MRF7S21110HSR5
Beschreibung FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S
Hersteller NXP
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Auf Lager 5.094
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MRF7S21110HSR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF7S21110HSR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF7S21110HSR5, MRF7S21110HSR5 Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 796,2 KB)
PDFMRF7S21110HSR5 Datenblatt Cover
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MRF7S21110HSR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.17GHz
Gewinn17.3dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.1A
Leistung - Leistung33W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-780S
LieferantengerätepaketNI-780S

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.93GHz ~ 1.99GHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

850mA

Leistung - Leistung

18W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780

Lieferantengerätepaket

NI-780

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

3.55GHz

Gewinn

11dB

Spannungstest

12V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

80mA

Leistung - Leistung

4.5W

Spannung - Nennspannung

15V

Paket / Fall

PLD-1.5

Lieferantengerätepaket

PLD-1.5

ARF444

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.4GHz ~ 2.5GHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

4.2µA

Rauschzahl

-

Stromtest

20mA

Leistung - Leistung

500W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT1250-1

Lieferantengerätepaket

DFM4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

870MHz

Gewinn

15.7dB

Spannungstest

12.5V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

550mA

Leistung - Leistung

1W

Spannung - Nennspannung

40V

Paket / Fall

TO-270AB

Lieferantengerätepaket

TO-270 WB-4

Kürzlich verkauft

1SMB5925BT3G

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ON Semiconductor

DIODE ZENER 10V 3W SMB

ESDALC5-1BM2

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STMicroelectronics

TVS DIODE 5V SOD882

MX30LF1G18AC-XKI

MX30LF1G18AC-XKI

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IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

SI7232DN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212-8

NTCS0603E3103FMT

NTCS0603E3103FMT

Vishay BC Components

THERMISTOR NTC 10KOHM 3610K 0603

MMSD4148T1G

MMSD4148T1G

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123

250R05L0R4AV4T

250R05L0R4AV4T

Johanson Technology

CAP CER 0.4PF 25V C0G/NP0 0201

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