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MRF7S21110HSR3

MRF7S21110HSR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRF7S21110HSR3
PNEDA Teilenummer MRF7S21110HSR3
Beschreibung FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S
Hersteller NXP
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Auf Lager 8.568
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MRF7S21110HSR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF7S21110HSR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF7S21110HSR3, MRF7S21110HSR3 Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 796,2 KB)
PDFMRF7S21110HSR5 Datenblatt Cover
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MRF7S21110HSR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.17GHz
Gewinn17.3dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.1A
Leistung - Leistung33W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-780S
LieferantengerätepaketNI-780S

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

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Transistortyp

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Frequenz

1.8MHz ~ 500MHz

Gewinn

23dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

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Rauschzahl

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Stromtest

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Leistung - Leistung

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Spannung - Nennspannung

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Frequenz

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Gewinn

12.5dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

6.3A

Rauschzahl

-

Stromtest

300mA

Leistung - Leistung

50W

Spannung - Nennspannung

150V

Paket / Fall

440193

Lieferantengerätepaket

440193

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.03GHz

Gewinn

19.7dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

500W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.93GHz ~ 1.99GHz

Gewinn

17.9dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.6A

Leistung - Leistung

56W

Spannung - Nennspannung

66V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

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