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MRF6S9060MR1

MRF6S9060MR1

Nur als Referenz

Teilenummer MRF6S9060MR1
PNEDA Teilenummer MRF6S9060MR1
Beschreibung FET RF 68V 880MHZ TO-270-2
Hersteller NXP
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Auf Lager 2.898
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF6S9060MR1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF6S9060MR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF6S9060MR1, MRF6S9060MR1 Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 848,69 KB)
PDFMRF6S9060NR1 Datenblatt Cover
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MRF6S9060MR1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz880MHz
Gewinn21.4dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest450mA
Leistung - Leistung14W
Spannung - Nennspannung68V
Paket / FallTO-270-2
LieferantengerätepaketTO-270-2

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Hersteller

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Gewinn

18.5dB

Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

540mA

Leistung - Leistung

650W

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Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

40.68MHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

250V

Nennstrom (Ampere)

6.5A

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

140W

Spannung - Nennspannung

900V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-247

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Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

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Transistortyp

HEMT

Frequenz

1.2GHz ~ 1.4GHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

600W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

H-36248-2

PTRA084808NF-V1-R5

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

734MHz ~ 821MHz

Gewinn

18.2dB

Spannungstest

48V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

450mA

Leistung - Leistung

550W

Spannung - Nennspannung

105V

Paket / Fall

HBSOF-6-2

Lieferantengerätepaket

PG-HBSOF-6-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

960MHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

700mA

Leistung - Leistung

100W

Spannung - Nennspannung

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