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MRF6S19100NBR1

MRF6S19100NBR1

Nur als Referenz

Teilenummer MRF6S19100NBR1
PNEDA Teilenummer MRF6S19100NBR1
Beschreibung FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4
Hersteller NXP
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MRF6S19100NBR1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF6S19100NBR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF6S19100NBR1, MRF6S19100NBR1 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 986,24 KB)
PDFMRF6S19100GNR1 Datenblatt Cover
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MRF6S19100NBR1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.99GHz
Gewinn14.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest950mA
Leistung - Leistung22W
Spannung - Nennspannung68V
Paket / FallTO-272BB
LieferantengerätepaketTO-272 WB-4

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

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Gewinn

23dB

Spannungstest

6V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

2.2dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

15V

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

4-CP

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

NPT35050AB

M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

HEMT

Frequenz

3.3GHz ~ 3.8GHz

Gewinn

12dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

19.5A

Rauschzahl

-

Stromtest

750mA

Leistung - Leistung

6W

Spannung - Nennspannung

100V

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

BLP10H603AZ

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

860MHz

Gewinn

22.8dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

15mA

Leistung - Leistung

2.5W

Spannung - Nennspannung

104V

Paket / Fall

12-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

12-HVSON (6x4)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.5GHz

Gewinn

14.1dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

700mA

Leistung - Leistung

50W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

NI-1230-4LS2L

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