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MRF6S19060MR1

MRF6S19060MR1

Nur als Referenz

Teilenummer MRF6S19060MR1
PNEDA Teilenummer MRF6S19060MR1
Beschreibung FET RF 68V 1.93GHZ TO270-4
Hersteller NXP
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Auf Lager 8.730
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF6S19060MR1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF6S19060MR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF6S19060MR1, MRF6S19060MR1 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 989,97 KB)
PDFMRF6S19060GNR1 Datenblatt Cover
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MRF6S19060MR1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.93GHz
Gewinn16dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest610mA
Leistung - Leistung12W
Spannung - Nennspannung68V
Paket / FallTO-270-4
LieferantengerätepaketTO-270 WB-4

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

3.5GHz

Gewinn

11.5dB

Spannungstest

12V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

300mA

Leistung - Leistung

20W

Spannung - Nennspannung

15V

Paket / Fall

NI-360

Lieferantengerätepaket

NI-360

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

400MHz

Gewinn

29dB

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

1dB

Stromtest

15mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

10V

Paket / Fall

SOT-143R

Lieferantengerätepaket

SOT-143R

PTFA041501F-V4-R250

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

470MHz

Gewinn

21dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

150W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

H-37248-2

2N5486

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

400MHz

Gewinn

-

Spannungstest

15V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

4dB

Stromtest

4mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

25V

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92

PTF080101M V1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

GOLDMOS®

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

960MHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

1µA

Rauschzahl

-

Stromtest

180mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Lieferantengerätepaket

PG-RFP-10

Kürzlich verkauft

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