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MRF6P21190HR6

MRF6P21190HR6

Nur als Referenz

Teilenummer MRF6P21190HR6
PNEDA Teilenummer MRF6P21190HR6
Beschreibung FET RF 68V 2.12GHZ NI-1230
Hersteller NXP
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Auf Lager 4.536
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF6P21190HR6 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF6P21190HR6
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF6P21190HR6, MRF6P21190HR6 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 746,94 KB)
PDFMRF6P21190HR6 Datenblatt Cover
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MRF6P21190HR6 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.12GHz
Gewinn15.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.9A
Leistung - Leistung44W
Spannung - Nennspannung68V
Paket / FallNI-1230
LieferantengerätepaketNI-1230

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

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20dB

Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

4A

Rauschzahl

-

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

3W

Spannung - Nennspannung

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

2.32GHz

Gewinn

14.1dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

600mA

Leistung - Leistung

30W

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65V

Paket / Fall

NI-780-4

Lieferantengerätepaket

NI-780-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.69GHz

Gewinn

14.2dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

9W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S-4L4L-8

Lieferantengerätepaket

NI-780S-4L4L-8

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

HFET

Frequenz

12GHz

Gewinn

13.5dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

70mA

Rauschzahl

0.35dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

4V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.8GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

19.2dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

13A

Rauschzahl

-

Stromtest

360mA

Leistung - Leistung

2.5W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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