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MRF5S9101NBR1

MRF5S9101NBR1

Nur als Referenz

Teilenummer MRF5S9101NBR1
PNEDA Teilenummer MRF5S9101NBR1
Beschreibung FET RF 68V 960MHZ TO-272-4
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.654
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MRF5S9101NBR1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF5S9101NBR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF5S9101NBR1, MRF5S9101NBR1 Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 609,54 KB)
PDFMRF5S9101MR1 Datenblatt Cover
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MRF5S9101NBR1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz960MHz
Gewinn17.5dB
Spannungstest26V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest700mA
Leistung - Leistung100W
Spannung - Nennspannung68V
Paket / FallTO-272BB
LieferantengerätepaketTO-272 WB-4

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.3GHz ~ 2.4GHz

Gewinn

18.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

28A

Rauschzahl

-

Stromtest

1.3A

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

17.3dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

2.4A

Leistung - Leistung

80W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1244C

Lieferantengerätepaket

CDFM6

ATF-58143-BLKG

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

2GHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

3V

Nennstrom (Ampere)

100mA

Rauschzahl

0.5dB

Stromtest

30mA

Leistung - Leistung

19dBm

Spannung - Nennspannung

5V

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

N-Channel GaAs HJ-FET

Frequenz

12GHz

Gewinn

13dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

60mA

Rauschzahl

0.65dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

125mW

Spannung - Nennspannung

4V

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

M04

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SENSOR DIGITAL -55C-125C 8SOIC

ZXM61P02FTA

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Diodes Incorporated

MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3

M48Z128Y-85PM1

M48Z128Y-85PM1

STMicroelectronics

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32PMDIP

MT40A512M16LY-075:E

MT40A512M16LY-075:E

Micron Technology Inc.

IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

FP1107R1-R51-R

FP1107R1-R51-R

Eaton - Electronics Division

FIXED IND 510NH 55A 0.29 MOHM

R5F21335CNFP#30

R5F21335CNFP#30

Renesas Electronics America

IC MCU 16BIT 24KB FLASH 32LQFP

ALS70A243DF063

ALS70A243DF063

KEMET

CAP ALUM 24000UF 20% 63V SCREW

1N5254B

1N5254B

ON Semiconductor

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ASDMB-12.000MHZ-LC-T

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AP2111MPG-13

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IC USB SWITCH 2.45A CURR 8MSOP