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MRF5S9100MR1

MRF5S9100MR1

Nur als Referenz

Teilenummer MRF5S9100MR1
PNEDA Teilenummer MRF5S9100MR1
Beschreibung FET RF 68V 880MHZ TO-270-4
Hersteller NXP
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Auf Lager 6.750
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MRF5S9100MR1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF5S9100MR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF5S9100MR1, MRF5S9100MR1 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 556,96 KB)
PDFMRF5S9100MR1 Datenblatt Cover
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MRF5S9100MR1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz880MHz
Gewinn19.5dB
Spannungstest26V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest950mA
Leistung - Leistung20W
Spannung - Nennspannung68V
Paket / FallTO-270AB
LieferantengerätepaketTO-270 WB-4

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Gewinn

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1dB

Stromtest

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Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.3A

Leistung - Leistung

55W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1120B

Lieferantengerätepaket

LDMOST

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.81GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

31.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

40mA

Leistung - Leistung

4W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

16-HSOP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.81GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

13dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

60W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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