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MRF5S9080NBR1

MRF5S9080NBR1

Nur als Referenz

Teilenummer MRF5S9080NBR1
PNEDA Teilenummer MRF5S9080NBR1
Beschreibung FET RF 65V 960MHZ TO-272-4
Hersteller NXP
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Auf Lager 2.412
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF5S9080NBR1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF5S9080NBR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF5S9080NBR1, MRF5S9080NBR1 Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 812,63 KB)
PDFMRF5S9080NR1 Datenblatt Cover
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MRF5S9080NBR1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz960MHz
Gewinn18.5dB
Spannungstest26V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest600mA
Leistung - Leistung80W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallTO-272BB
LieferantengerätepaketTO-272 WB-4

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Nennstrom (Ampere)

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Rauschzahl

-

Stromtest

25mA

Leistung - Leistung

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Frequenz

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Gewinn

13.5dB

Spannungstest

4.5V

Nennstrom (Ampere)

3A

Rauschzahl

-

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

33.5dBmW

Spannung - Nennspannung

10V

Paket / Fall

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PW-X

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

220MHz

Gewinn

23.9dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

30mA

Leistung - Leistung

10W

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110V

Paket / Fall

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.5GHz ~ 2.7GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

25W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

230MHz

Gewinn

26.5dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

300W

Spannung - Nennspannung

130V

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