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MRF5S4140HR3

MRF5S4140HR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRF5S4140HR3
PNEDA Teilenummer MRF5S4140HR3
Beschreibung FET RF 65V 465MHZ NI-780
Hersteller NXP
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Auf Lager 6.696
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MRF5S4140HR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF5S4140HR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF5S4140HR3, MRF5S4140HR3 Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 1.588,27 KB)
PDFMRF5S4140HSR5 Datenblatt Cover
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MRF5S4140HR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz465MHz
Gewinn21dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.25A
Leistung - Leistung28W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-957A
LieferantengerätepaketNI-780H-2L

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

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Spannungstest

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-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.9A

Leistung - Leistung

40W

Spannung - Nennspannung

65V

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NI-860C3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.3GHz

Gewinn

14.6dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

280mA

Leistung - Leistung

16W

Spannung - Nennspannung

65V

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NI-780-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

HEMT

Frequenz

2.45GHz

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

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Spannung - Nennspannung

32V

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

900MHz

Gewinn

23.5dB

Spannungstest

7.5V

Nennstrom (Ampere)

600mA

Rauschzahl

-

Stromtest

40mA

Leistung - Leistung

32.2dB

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

3-PowerMiniMold

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.8GHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

5µA

Rauschzahl

-

Stromtest

2A

Leistung - Leistung

50W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502A

Lieferantengerätepaket

LDMOST

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