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MRF5S21130HSR5

MRF5S21130HSR5

Nur als Referenz

Teilenummer MRF5S21130HSR5
PNEDA Teilenummer MRF5S21130HSR5
Beschreibung FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.114
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF5S21130HSR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF5S21130HSR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF5S21130HSR5, MRF5S21130HSR5 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 699,08 KB)
PDFMRF5S21130HSR5 Datenblatt Cover
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MRF5S21130HSR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.11GHz ~ 2.17GHz
Gewinn13.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.2A
Leistung - Leistung28W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-880S
LieferantengerätepaketNI-880S

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

957.5MHz

Gewinn

36.1dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

15mA

Leistung - Leistung

1.5W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1212-3

Lieferantengerätepaket

16-HSOP

PTFC260202FC-V1-R0

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.69GHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

170mA

Leistung - Leistung

5W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

H-37248-4

Lieferantengerätepaket

H-37248-4

IXZR18N50B-00

IXYS-RF

Hersteller

IXYS-RF

Serie

Z-MOS™

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

65MHz

Gewinn

23dB

Spannungstest

100V

Nennstrom (Ampere)

19A

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

350W

Spannung - Nennspannung

500V

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

PD57070-E

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

945MHz

Gewinn

14.7dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

7A

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

70W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Formed Lead)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

18.3dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

700mA

Leistung - Leistung

24W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

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SI5328B-C-GMR

SI5328B-C-GMR

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