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MRF5S19100HSR3

MRF5S19100HSR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRF5S19100HSR3
PNEDA Teilenummer MRF5S19100HSR3
Beschreibung FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.042
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MRF5S19100HSR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF5S19100HSR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF5S19100HSR3, MRF5S19100HSR3 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 870,24 KB)
PDFMRF5S19100HSR5 Datenblatt Cover
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MRF5S19100HSR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.93GHz ~ 1.99GHz
Gewinn13.9dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1A
Leistung - Leistung22W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-780S
LieferantengerätepaketNI-780S

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Rauschzahl

-

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200mA

Leistung - Leistung

25W

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

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Frequenz

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Gewinn

30.5dB

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

0.9dB

Stromtest

12mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

10V

Paket / Fall

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.92GHz

Gewinn

16.4dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

550mA

Leistung - Leistung

37W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S-4

Lieferantengerätepaket

NI-780S-4

2N5486_D74Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

400MHz

Gewinn

-

Spannungstest

15V

Nennstrom (Ampere)

20mA

Rauschzahl

4dB

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

25V

Paket / Fall

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Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

HEMT

Frequenz

0Hz ~ 3GHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

5A

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

1.5W

Spannung - Nennspannung

100V

Paket / Fall

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