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MR25H40MDFR

MR25H40MDFR

Nur als Referenz

Teilenummer MR25H40MDFR
PNEDA Teilenummer MR25H40MDFR
Beschreibung IC RAM 4M SPI 40MHZ 8DFN
Hersteller Everspin Technologies Inc.
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Auf Lager 7.794
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MR25H40MDFR Ressourcen

Marke Everspin Technologies Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMR25H40MDFR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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MR25H40MDFR Technische Daten

HerstellerEverspin Technologies Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q100
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatRAM
TechnologieMRAM (Magnetoresistive RAM)
Speichergröße4Mb (512K x 8)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz40MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-VDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-DFN-EP, Small Flag (5x6)

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Adesto Technologies

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

32Mb (512 Bytes x 8192 pages)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8µs, 4ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-UDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

512Mb (64M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

750ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

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Speichergröße

2Mb (128K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.6ns

Spannung - Versorgung

3.15V ~ 3.45V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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