MPSA28_D75Z
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Teilenummer | MPSA28_D75Z |
PNEDA Teilenummer | MPSA28_D75Z |
Beschreibung | TRANS NPN DARL 80V 0.8A TO-92 |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 4.464 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MPSA28_D75Z Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | MPSA28_D75Z |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
Datenblatt |
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MPSA28_D75Z Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | - |
Transistortyp | NPN - Darlington |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 800mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 80V |
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 100µA, 100mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 10000 @ 100mA, 5V |
Leistung - max | 625mW |
Frequenz - Übergang | 125MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
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ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 300 @ 1mA, 6V Leistung - max 500mW Frequenz - Übergang 110MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 3mA, 1V Leistung - max 200mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket UB |
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Nexperia Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V Leistung - max 280mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-XDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket DFN1010D-3 |