MPSA13RLRMG
Nur als Referenz
| Teilenummer | MPSA13RLRMG |
| PNEDA Teilenummer | MPSA13RLRMG |
| Beschreibung | TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.672 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 20 - Apr 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MPSA13RLRMG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MPSA13RLRMG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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MPSA13RLRMG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN - Darlington |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 500mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 30V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 100µA, 100mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 10000 @ 100mA, 5V |
| Leistung - max | 625mW |
| Frequenz - Übergang | 125MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 300 @ 1mA, 6V Leistung - max 300mW Frequenz - Übergang 110MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
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