MPS650ZL1G
Nur als Referenz
| Teilenummer | MPS650ZL1G |
| PNEDA Teilenummer | MPS650ZL1G |
| Beschreibung | TRANS NPN 40V 2A TO-92 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.598 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 22 - Feb 27 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MPS650ZL1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MPS650ZL1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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MPS650ZL1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 2A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 40V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 75 @ 1A, 2V |
| Leistung - max | 625mW |
| Frequenz - Übergang | 75MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 5V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang 400MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 55V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.4V @ 20mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 200mA, 4V Leistung - max 5W Frequenz - Übergang 1.5MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-39 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 180V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 150 @ 200mA, 5V Leistung - max 1W Frequenz - Übergang 70MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall E-Line-3, Formed Leads Lieferantengerätepaket E-Line (TO-92 compatible) |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 190mV @ 120mA, 6A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 500 @ 10mA, 2V Leistung - max 1.25W Frequenz - Übergang 260MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/395 Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 900mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 1A, 1.5V Leistung - max 500mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket 3-UB (2.9x2.2) |
