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MP1921HQE-A-LF-P

MP1921HQE-A-LF-P

Nur als Referenz

Teilenummer MP1921HQE-A-LF-P
PNEDA Teilenummer MP1921HQE-A-LF-P
Beschreibung 100V, 2.5A, HIGH FREQUENCY, HALF
Hersteller Monolithic Power Systems Inc.
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MP1921HQE-A-LF-P Ressourcen

Marke Monolithic Power Systems Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMP1921HQE-A-LF-P
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
MP1921HQE-A-LF-P, MP1921HQE-A-LF-P Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 575,67 KB)
PDFMP1921HR-A-LF-P Datenblatt Cover
MP1921HR-A-LF-P Datenblatt Seite 2 MP1921HR-A-LF-P Datenblatt Seite 3 MP1921HR-A-LF-P Datenblatt Seite 4 MP1921HR-A-LF-P Datenblatt Seite 5 MP1921HR-A-LF-P Datenblatt Seite 6 MP1921HR-A-LF-P Datenblatt Seite 7 MP1921HR-A-LF-P Datenblatt Seite 8 MP1921HR-A-LF-P Datenblatt Seite 9 MP1921HR-A-LF-P Datenblatt Seite 10 MP1921HR-A-LF-P Datenblatt Seite 11

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MP1921HQE-A-LF-P Technische Daten

HerstellerMonolithic Power Systems Inc.
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung9V ~ 18V
Logikspannung - VIL, VIH1V, 2.4V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)2.5A, 2.5A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)120V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)12ns, 9ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall9-VFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket9-QFN (3x3)

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Hersteller

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Angetriebene Konfiguration

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Kanaltyp

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Anzahl der Treiber

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Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

5V ~ 40V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.5A, 1.5A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

40ns, 40ns

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Hersteller

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Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

1.1V, 1.98V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

5A, 5A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

5.3ns, 4.5ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Texas Instruments

Hersteller

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-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.75V ~ 5.25V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

500mA, 500mA

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

5ns, 7ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

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Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

9V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

1.4V, 2.2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

114V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

10ns, 10ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

9-VFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

9-DFN-EP (3x3)

IRS4428STRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

6V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2.3A, 3.3A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

25ns, 25ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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