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MOC8112M

MOC8112M

Nur als Referenz

Teilenummer MOC8112M
PNEDA Teilenummer MOC8112M
Beschreibung OPTOISOLATOR 7.5KV TRANS 6-DIP
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.682
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 5 - Jan 10 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MOC8112M Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMOC8112M
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
Datenblatt
MOC8112M, MOC8112M Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 267,36 KB)
PDFMOC8113M Datenblatt Cover
MOC8113M Datenblatt Seite 2 MOC8113M Datenblatt Seite 3 MOC8113M Datenblatt Seite 4 MOC8113M Datenblatt Seite 5 MOC8113M Datenblatt Seite 6 MOC8113M Datenblatt Seite 7 MOC8113M Datenblatt Seite 8 MOC8113M Datenblatt Seite 9 MOC8113M Datenblatt Seite 10

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MOC8112M Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation7500Vpk
Stromübertragungsverhältnis (min)50% @ 10mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)-
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)4.2µs, 23µs
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)3µs, 14µs
EingabetypDC
AusgabetypTransistor
Spannung - Ausgang (max.)70V
Strom - Ausgang / Kanal-
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.15V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)90mA
Vce-Sättigung (max.)400mV
Betriebstemperatur-40°C ~ 100°C
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall6-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket6-DIP

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Hersteller

CEL

Serie

NEPOC

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

80% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

160% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

3µs, 5µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.17V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

80mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

4-SMD

TLP785(Y,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

50% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

150% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

3µs, 3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.15V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 110°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

4-DIP

PVI1050NSPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

PVI

Anzahl der Kanäle

2

Spannungsisolation

2500Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

-

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

300µs, 220µs (Max)

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Photovoltaic

Spannung - Ausgang (max.)

5V

Strom - Ausgang / Kanal

5µA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

-

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

-

Vce-Sättigung (max.)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD (0.300", 7.62mm), 4 Leads

Lieferantengerätepaket

8-SMD

PC851XNNSZ1H

SHARP/Socle Technology

Hersteller

SHARP/Socle Technology

Serie

PC851X

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

40% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

4µs, 5µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

350V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-25°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

4-DIP

IL206AT

Vishay Semiconductor Opto Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Opto Division

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

4000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

63% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

125% @ 10mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

3µs, 3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.3V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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DF10S-T

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IRLML6402TRPBF

IRLML6402TRPBF

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MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23

MBR360G

MBR360G

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XC3S200AN-4FTG256C

XC3S200AN-4FTG256C

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TIP42CTU

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MAX3491ESD+T

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LT8331IMSE#TRPBF

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SQJ459EP-T1_GE3

SQJ459EP-T1_GE3

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