MMUN2230LT1
Nur als Referenz
| Teilenummer | MMUN2230LT1 |
| PNEDA Teilenummer | MMUN2230LT1 |
| Beschreibung | TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.598 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 21 - Jun 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
MMUN2230LT1 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | MMUN2230LT1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- MMUN2230LT1 Datasheet
- where to find MMUN2230LT1
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor MMUN2230LT1
- MMUN2230LT1 PDF Datasheet
- MMUN2230LT1 Stock
- MMUN2230LT1 Pinout
- Datasheet MMUN2230LT1
- MMUN2230LT1 Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- MMUN2230LT1 Price
- MMUN2230LT1 Distributor
MMUN2230LT1 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 1 kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | - |
| Leistung - max | 246mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) - Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang 250MHz Leistung - max 150mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-523 Lieferantengerätepaket SOT-523 |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA Frequenz - Übergang 180MHz Leistung - max 250mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-XFDFN Lieferantengerätepaket DFN1006B-3 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 2.5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang 250MHz Leistung - max 150mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-523 Lieferantengerätepaket SOT-523 |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA Frequenz - Übergang - Leistung - max 250mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket DFN1006-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang 160MHz Leistung - max 200mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
