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MMRF1318NR1

MMRF1318NR1

Nur als Referenz

Teilenummer MMRF1318NR1
PNEDA Teilenummer MMRF1318NR1
Beschreibung FET RF 110V 450MHZ
Hersteller NXP
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MMRF1318NR1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMRF1318NR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MMRF1318NR1, MMRF1318NR1 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 627,85 KB)
PDFMMRF1318NR1 Datenblatt Cover
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MMRF1318NR1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz450MHz
Gewinn22dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest900mA
Leistung - Leistung300W
Spannung - Nennspannung110V
Paket / FallTO-270-4
LieferantengerätepaketTO-270 WB-4

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Hersteller

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Serie

-

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Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.3A

Leistung - Leistung

250W

Spannung - Nennspannung

110V

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SOT539B

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

860MHz

Gewinn

21dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

20µA

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

140W

Spannung - Nennspannung

115V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

NI-1230-4S

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.16GHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.6A

Leistung - Leistung

38W

Spannung - Nennspannung

65V

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

922.5MHz ~ 957.5MHz

Gewinn

23dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

13A

Rauschzahl

-

Stromtest

350mA

Leistung - Leistung

1W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-608B

Lieferantengerätepaket

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