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MMRF1315NR1

MMRF1315NR1

Nur als Referenz

Teilenummer MMRF1315NR1
PNEDA Teilenummer MMRF1315NR1
Beschreibung FET RF 66V 880MHZ TO270
Hersteller NXP
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Auf Lager 8.244
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MMRF1315NR1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMRF1315NR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MMRF1315NR1, MMRF1315NR1 Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 833,04 KB)
PDFMMRF1315NR1 Datenblatt Cover
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MMRF1315NR1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz880MHz
Gewinn21.1dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest450mA
Leistung - Leistung14W
Spannung - Nennspannung66V
Paket / FallTO-270-2
LieferantengerätepaketTO-270-2

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

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Gewinn

-

Spannungstest

15V

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10mA

Rauschzahl

4dB

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.1GHz ~ 2.2GHz

Gewinn

28.2dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

1.4µA

Rauschzahl

-

Stromtest

105mA

Leistung - Leistung

45W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

OMP-780-16G-1

Lieferantengerätepaket

OMP-780-16G-1

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

400MHz

Gewinn

30.5dB

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

0.9dB

Stromtest

12mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

10V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

CMPAK-4

CGH60015D-GP4

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Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

6GHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

15W

Spannung - Nennspannung

84V

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

PD57030-E

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

945MHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

4A

Rauschzahl

-

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

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