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MMRF1304GNR1

MMRF1304GNR1

Nur als Referenz

Teilenummer MMRF1304GNR1
PNEDA Teilenummer MMRF1304GNR1
Beschreibung FET RF 133V 512MHZ TO270-2
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.690
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MMRF1304GNR1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMRF1304GNR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MMRF1304GNR1, MMRF1304GNR1 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 456,99 KB)
PDFMMRF1304GNR1 Datenblatt Cover
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MMRF1304GNR1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz512MHz
Gewinn25.4dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest10mA
Leistung - Leistung25W
Spannung - Nennspannung133V
Paket / FallTO-270BA
LieferantengerätepaketTO-270-2 GULL

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

1.99GHz

Gewinn

19dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

2.65A

Leistung - Leistung

80W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

H-34275G-6/2

Lieferantengerätepaket

H-34275G-6/2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.09GHz

Gewinn

25dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

100V

Paket / Fall

PLD-1.5

Lieferantengerätepaket

PLD-1.5

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

800MHz

Gewinn

35dB

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

1.2dB

Stromtest

12mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

10V

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

6-TSSOP

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

1.93GHz ~ 1.99GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

32.5A

Rauschzahl

-

Stromtest

1.08A

Leistung - Leistung

45W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1121A

Lieferantengerätepaket

LDMOST

PD85035STR-E

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

870MHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

13.6V

Nennstrom (Ampere)

8A

Rauschzahl

-

Stromtest

350mA

Leistung - Leistung

15W

Spannung - Nennspannung

40V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Straight Lead)

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