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MMRF1011HSR5

MMRF1011HSR5

Nur als Referenz

Teilenummer MMRF1011HSR5
PNEDA Teilenummer MMRF1011HSR5
Beschreibung FET RF 100V 1.4GHZ
Hersteller NXP
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Auf Lager 6.696
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MMRF1011HSR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMRF1011HSR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MMRF1011HSR5, MMRF1011HSR5 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 640,21 KB)
PDFMMRF1011HSR5 Datenblatt Cover
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MMRF1011HSR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.4GHz
Gewinn18dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest150mA
Leistung - Leistung330W
Spannung - Nennspannung100V
Paket / FallNI-780S
LieferantengerätepaketNI-780S

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

7mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

TO-236AB (SOT23)

J304

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

15mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

894MHz

Gewinn

19.8dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

300mA

Leistung - Leistung

35.5W

Spannung - Nennspannung

66V

Paket / Fall

TO-270AB

Lieferantengerätepaket

TO-270 WB-4

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.5GHz ~ 2.7GHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

28A

Rauschzahl

-

Stromtest

1.3A

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

HFET

Frequenz

2GHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

60mA

Rauschzahl

0.4dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

11dBm

Spannung - Nennspannung

4V

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

M04

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