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MMRF1007HR5

MMRF1007HR5

Nur als Referenz

Teilenummer MMRF1007HR5
PNEDA Teilenummer MMRF1007HR5
Beschreibung FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230
Hersteller NXP
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Auf Lager 2.808
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MMRF1007HR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMRF1007HR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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MMRF1007HR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz1.03GHz
Gewinn20dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest150mA
Leistung - Leistung1000W
Spannung - Nennspannung110V
Paket / FallNI-1230-4H
LieferantengerätepaketNI-1230-4H

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Gewinn

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Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

25W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1244C

Lieferantengerätepaket

CDFM6

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

860MHz

Gewinn

22dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

350mA

Leistung - Leistung

18W

Spannung - Nennspannung

115V

Paket / Fall

TO-272-4

Lieferantengerätepaket

TO-272-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

18.9dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

450mA

Leistung - Leistung

6.3W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

OM780-4

Lieferantengerätepaket

OM780-4

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.5GHz ~ 2.7GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

28A

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

20W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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