Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

MMIX1F44N100Q3

MMIX1F44N100Q3

Nur als Referenz

Teilenummer MMIX1F44N100Q3
PNEDA Teilenummer MMIX1F44N100Q3
Beschreibung MOSFET N-CH 1000V 30A
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.556
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MMIX1F44N100Q3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMIX1F44N100Q3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
MMIX1F44N100Q3, MMIX1F44N100Q3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 178,03 KB)
PDFMMIX1F44N100Q3 Datenblatt Cover
MMIX1F44N100Q3 Datenblatt Seite 2 MMIX1F44N100Q3 Datenblatt Seite 3 MMIX1F44N100Q3 Datenblatt Seite 4 MMIX1F44N100Q3 Datenblatt Seite 5 MMIX1F44N100Q3 Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • MMIX1F44N100Q3 Datasheet
  • where to find MMIX1F44N100Q3
  • IXYS

  • IXYS MMIX1F44N100Q3
  • MMIX1F44N100Q3 PDF Datasheet
  • MMIX1F44N100Q3 Stock

  • MMIX1F44N100Q3 Pinout
  • Datasheet MMIX1F44N100Q3
  • MMIX1F44N100Q3 Supplier

  • IXYS Distributor
  • MMIX1F44N100Q3 Price
  • MMIX1F44N100Q3 Distributor

MMIX1F44N100Q3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFET™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1000V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs245mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id6.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs264nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds13600pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)694W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket24-SMPD
Paket / Fall24-PowerSMD, 21 Leads

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SIHFS9N60A-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

750mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

170W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (D²Pak)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NTMFS4C59NT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Ta), 52A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.2nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1252pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

RQ3C150BCTB

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.7mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4800pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

20W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-HSMT (3.2x3)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

CMUDM8004 TR

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

450mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 430mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.88nC @ 4.5V

Vgs (Max)

8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

55pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

250mW (Ta)

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-523

Paket / Fall

SOT-523

DMP21D5UFD-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

600mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

800nC @ 8V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

46.1pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

400mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

X1-DFN1212-3

Paket / Fall

3-UDFN

Kürzlich verkauft

VLP8040T-6R8M

VLP8040T-6R8M

TDK

FIXED IND 6.8UH 3.6A 32 MOHM SMD

W25Q16JVSNIQ

W25Q16JVSNIQ

Winbond Electronics

IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC

TLP785(GRH-TP6,F)

TLP785(GRH-TP6,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD

74LVX14MTCX

74LVX14MTCX

ON Semiconductor

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14TSSOP

BC807-16LT1G

BC807-16LT1G

ON Semiconductor

TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23

NLV32T-068J-EF

NLV32T-068J-EF

TDK

FIXED IND 68NH 450MA 360 MOHM

AD5293BRUZ-20

AD5293BRUZ-20

Analog Devices

IC DGT POT 20KOHM 1024TP 14TSSOP

L7805ABV

L7805ABV

STMicroelectronics

IC REG LINEAR 5V 1.5A TO220AB

MC33161PG

MC33161PG

ON Semiconductor

IC MONITOR VOLTAGE UNIV 8DIP

SMBJ36CA-13-F

SMBJ36CA-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 36V 58.1V SMB

AD8056ARZ

AD8056ARZ

Analog Devices

IC OPAMP VFB 2 CIRCUIT 8SOIC

BA05CC0FP-E2

BA05CC0FP-E2

Rohm Semiconductor

IC REG LINEAR 5V 1A TO252-3