Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

MMIX1F132N50P3

MMIX1F132N50P3

Nur als Referenz

Teilenummer MMIX1F132N50P3
PNEDA Teilenummer MMIX1F132N50P3
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 63A SMPD
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.848
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MMIX1F132N50P3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMIX1F132N50P3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
MMIX1F132N50P3, MMIX1F132N50P3 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 224,81 KB)
PDFMMIX1F132N50P3 Datenblatt Cover
MMIX1F132N50P3 Datenblatt Seite 2 MMIX1F132N50P3 Datenblatt Seite 3 MMIX1F132N50P3 Datenblatt Seite 4 MMIX1F132N50P3 Datenblatt Seite 5 MMIX1F132N50P3 Datenblatt Seite 6 MMIX1F132N50P3 Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • MMIX1F132N50P3 Datasheet
  • where to find MMIX1F132N50P3
  • IXYS

  • IXYS MMIX1F132N50P3
  • MMIX1F132N50P3 PDF Datasheet
  • MMIX1F132N50P3 Stock

  • MMIX1F132N50P3 Pinout
  • Datasheet MMIX1F132N50P3
  • MMIX1F132N50P3 Supplier

  • IXYS Distributor
  • MMIX1F132N50P3 Price
  • MMIX1F132N50P3 Distributor

MMIX1F132N50P3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFET™, Polar3™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.63A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs43mOhm @ 66A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs250nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds18600pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)520W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket24-SMPD
Paket / Fall24-PowerSMD, 21 Leads

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

STL45N10F7AG

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1450pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

72W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerFlat™ (5x6)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

IXFE180N10

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

176A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

360nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9100pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

DMNH4005SCT

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

150A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V

Vgs (Max)

20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2846pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

165W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

Hersteller

IXYS

Serie

TrenchMV™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

151nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

480W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXTA)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRF730PBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

400V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

74W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

MC14066BDG

MC14066BDG

ON Semiconductor

IC MULTIPLEXER QUAD 4X1 14SOIC

SL16010DCT

SL16010DCT

Silicon Labs

IC CLOCK AMD GRAPHICS 10TDFN

MC68060RC50

MC68060RC50

NXP

IC MPU M680X0 50MHZ 206PGA

VLP8040T-6R8M

VLP8040T-6R8M

TDK

FIXED IND 6.8UH 3.6A 32 MOHM SMD

HLMP-2655

HLMP-2655

Broadcom

LED LT BAR 8.89X8.89MM SGL HER

DS3232SN#

DS3232SN#

Maxim Integrated

IC RTC CLK/CALENDAR I2C 20-SOIC

ADP7182AUJZ-R7

ADP7182AUJZ-R7

Analog Devices

IC REG LIN NEG ADJ 200MA 5TSOT

EDZVT2R16B

EDZVT2R16B

Rohm Semiconductor

DIODE ZENER 16V 150MW EMD2

F951E106MAAAQ2

F951E106MAAAQ2

CAP TANT 10UF 20% 25V 1206

CY62187EV30LL-55BAXI

CY62187EV30LL-55BAXI

Cypress Semiconductor

IC SRAM 64M PARALLEL 48FBGA

A42MX09-PQ100

A42MX09-PQ100

Microsemi

IC FPGA 83 I/O 100QFP

FM24W256-GTR

FM24W256-GTR

Cypress Semiconductor

IC FRAM 256K I2C 1MHZ 8SOIC