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MMDT3946FL3-7

MMDT3946FL3-7

Nur als Referenz

Teilenummer MMDT3946FL3-7
PNEDA Teilenummer MMDT3946FL3-7
Beschreibung TRANS NPN/PNP 40V 200MA 6DFN
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 8.640
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 7 - Apr 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MMDT3946FL3-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMDT3946FL3-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
MMDT3946FL3-7, MMDT3946FL3-7 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 770,67 KB)
PDFMMDT3946FL3-7 Datenblatt Cover
MMDT3946FL3-7 Datenblatt Seite 2 MMDT3946FL3-7 Datenblatt Seite 3 MMDT3946FL3-7 Datenblatt Seite 4 MMDT3946FL3-7 Datenblatt Seite 5 MMDT3946FL3-7 Datenblatt Seite 6 MMDT3946FL3-7 Datenblatt Seite 7 MMDT3946FL3-7 Datenblatt Seite 8 MMDT3946FL3-7 Datenblatt Seite 9

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MMDT3946FL3-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
TransistortypNPN, PNP Complementary
Strom - Kollektor (Ic) (max.)200mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)40V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)50nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 1V
Leistung - max370mW
Frequenz - Übergang300MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-XFDFN Exposed Pad
LieferantengerätepaketX2-DFN1310-6 (Type B)

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Hersteller

Serie

-

Transistortyp

7 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SO

PUMZ2,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

100MHz, 190MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

6-TSSOP

MAT14ARZ

Analog Devices

Hersteller

Analog Devices Inc.

Serie

-

Transistortyp

4 NPN (Quad) Matched Pairs

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

60mV @ 100µA, 1mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

14-SO

MMDT4401-TP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

750mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 1V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

JAN2N2920L

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/355

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 100µA, 1mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 1mA, 5V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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