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MMDT3906-7

MMDT3906-7

Nur als Referenz

Teilenummer MMDT3906-7
PNEDA Teilenummer MMDT3906-7
Beschreibung TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 2.682
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MMDT3906-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMDT3906-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
MMDT3906-7, MMDT3906-7 Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 59,47 KB)
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MMDT3906-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
Transistortyp2 PNP (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)200mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)40V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 1V
Leistung - max200mW
Frequenz - Übergang250MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSOT-363

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

4 NPN Darlington (Quad)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.75A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.4V @ 2mA, 1.25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-20°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

16-PowerDIP (20x7.10)

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 3mA, 30mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

820 @ 4ma, 2V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

35MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

SMT6

ZXTC6718MCTA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4.5A, 3.5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V

Leistung - max

1.7W

Frequenz - Übergang

140MHz, 180MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-DFN (3x2)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

700mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 100µA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 1mA, 5V

Leistung - max

600mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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