Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

MMBTA13-7-F

MMBTA13-7-F

Nur als Referenz

Teilenummer MMBTA13-7-F
PNEDA Teilenummer MMBTA13-7-F
Beschreibung TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 239.670
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 18 - Apr 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MMBTA13-7-F Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMBTA13-7-F
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
MMBTA13-7-F, MMBTA13-7-F Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 113,71 KB)
PDFMMBTA13-7 Datenblatt Cover
MMBTA13-7 Datenblatt Seite 2 MMBTA13-7 Datenblatt Seite 3

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • MMBTA13-7-F Datasheet
  • where to find MMBTA13-7-F
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated MMBTA13-7-F
  • MMBTA13-7-F PDF Datasheet
  • MMBTA13-7-F Stock

  • MMBTA13-7-F Pinout
  • Datasheet MMBTA13-7-F
  • MMBTA13-7-F Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • MMBTA13-7-F Price
  • MMBTA13-7-F Distributor

MMBTA13-7-F Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
TransistortypNPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)300mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)30V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 100µA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce10000 @ 100mA, 5V
Leistung - max300mW
Frequenz - Übergang125MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

2SC2235-Y(6MBH1,AF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

120V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 100mA, 5V

Leistung - max

900mW

Frequenz - Übergang

120MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Lieferantengerätepaket

TO-92MOD

MMST5401-TP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

150V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 5V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

BCW61AMTF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

32V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

550mV @ 1.25mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

20nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 5V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

JAN2N720A

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/182

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

5V @ 15mA, 150mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-18 (TO-206AA)

JAN2N3996

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/374

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2V @ 500mA, 5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 1A, 2V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Stud Mount

Paket / Fall

TO-111-4, Stud

Lieferantengerätepaket

TO-111

Kürzlich verkauft

LSM115JE3/TR13

LSM115JE3/TR13

Microsemi

DIODE SCHOTTKY 15V 1A DO214BA

IRFR5305TRPBF

IRFR5305TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 31A DPAK

IPA60R360P7SXKSA1

IPA60R360P7SXKSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO220

MCP1725T-3302E/MC

MCP1725T-3302E/MC

Microchip Technology

IC REG LINEAR 3.3V 500MA 8DFN

IR2113STRPBF

IR2113STRPBF

Infineon Technologies

IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC

AT24RF08CN-10SC

AT24RF08CN-10SC

Microchip Technology

IC EEPROM 8K I2C 100KHZ 8SOIC

MC7815ACTG

MC7815ACTG

ON Semiconductor

IC REG LINEAR 15V 1A TO220AB

74HC573D

74HC573D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC LATCH OCTAL D 3ST 20SOIC

NRVBS3200T3G

NRVBS3200T3G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 200V 3A SMB

8121-RC

8121-RC

Bourns

COMMON MODE CHOKE 1MH 20A 2LN TH

TR2/TCP1.25-R

TR2/TCP1.25-R

Eaton - Electronics Division

FUSE BRD MNT 1.25A 250VAC 2SMD

LTM4608AMPY#PBF

LTM4608AMPY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.6-5V 8A