MMBTA06LT1G
Nur als Referenz
| Teilenummer | MMBTA06LT1G |
| PNEDA Teilenummer | MMBTA06LT1G |
| Beschreibung | TRANS NPN 80V 0.5A SOT23 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.273.630 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MMBTA06LT1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MMBTA06LT1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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MMBTA06LT1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 500mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 80V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Leistung - max | 225mW |
| Frequenz - Übergang | 100MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 200mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 8 @ 1A, 5V Leistung - max 1W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket TO-252AA |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 6V Leistung - max - Frequenz - Übergang 80MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 30mA, 300mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 1V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 750mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 100mA, 750mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 500mA, 2V Leistung - max 500mW Frequenz - Übergang 220MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SOT-323 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 1V Leistung - max 225mW Frequenz - Übergang 250MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) |
