MMBT6517LT3G
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| Teilenummer | MMBT6517LT3G |
| PNEDA Teilenummer | MMBT6517LT3G |
| Beschreibung | TRANS NPN 350V 0.1A SOT-23 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.226 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 3 - Feb 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MMBT6517LT3G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MMBT6517LT3G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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MMBT6517LT3G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 350V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 50nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 50mA, 10V |
| Leistung - max | 225mW |
| Frequenz - Übergang | 200MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 125mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 200µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 1A, 4V Leistung - max 2W Frequenz - Übergang 3MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
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