MMBT5401
Nur als Referenz
| Teilenummer | MMBT5401 |
| PNEDA Teilenummer | MMBT5401 |
| Beschreibung | TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.618 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 24 - Apr 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MMBT5401 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MMBT5401 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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MMBT5401 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 600mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 150V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 50nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
| Leistung - max | 350mW |
| Frequenz - Übergang | 300MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 20mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 1V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang 250MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 24A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 800V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 3A, 12A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 200µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 5.5 @ 12A, 5V Leistung - max 200W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 20nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 250 @ 100mA, 1V Leistung - max 330mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
Hersteller Bourns Inc. Serie - Transistortyp NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 50mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 750 @ 3A, 3V Leistung - max 2W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 180 @ 1mA, 6V Leistung - max 200mW Frequenz - Übergang 140MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket UMT3 |
