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MMBFJ309

MMBFJ309

Nur als Referenz

Teilenummer MMBFJ309
PNEDA Teilenummer MMBFJ309
Beschreibung JFET N-CH 25V 30MA SOT23
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 23.034
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MMBFJ309 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMBFJ309
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MMBFJ309, MMBFJ309 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 426,96 KB)
PDFMMBFJ309 Datenblatt Cover
MMBFJ309 Datenblatt Seite 2 MMBFJ309 Datenblatt Seite 3 MMBFJ309 Datenblatt Seite 4 MMBFJ309 Datenblatt Seite 5 MMBFJ309 Datenblatt Seite 6 MMBFJ309 Datenblatt Seite 7 MMBFJ309 Datenblatt Seite 8 MMBFJ309 Datenblatt Seite 9

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MMBFJ309 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypN-Channel JFET
Frequenz450MHz
Gewinn12dB
Spannungstest10V
Nennstrom (Ampere)30mA
Rauschzahl3dB
Stromtest10mA
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung25V
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.14GHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

550mA

Leistung - Leistung

18W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

H-37265-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.03GHz

Gewinn

18.2dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S-4

Lieferantengerätepaket

NI-780S-4

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

HFET

Frequenz

2GHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

60mA

Rauschzahl

0.4dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

11dBm

Spannung - Nennspannung

4V

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

M04

PTFB211503FL-V2-R0

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.2A

Leistung - Leistung

32W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

H-34288-4/2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.03GHz ~ 1.09GHz

Gewinn

19.2dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

770W

Spannung - Nennspannung

105V

Paket / Fall

NI780-4

Lieferantengerätepaket

NI-780-4

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