MMBFJ309
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| Teilenummer | MMBFJ309 |
| PNEDA Teilenummer | MMBFJ309 |
| Beschreibung | JFET N-CH 25V 30MA SOT23 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 23.034 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MMBFJ309 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MMBFJ309 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt |
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MMBFJ309 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | N-Channel JFET |
| Frequenz | 450MHz |
| Gewinn | 12dB |
| Spannungstest | 10V |
| Nennstrom (Ampere) | 30mA |
| Rauschzahl | 3dB |
| Stromtest | 10mA |
| Leistung - Leistung | - |
| Spannung - Nennspannung | 25V |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS (Dual) Frequenz 2.3GHz Gewinn 14.6dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 280mA Leistung - Leistung 16W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall NI780-4 Lieferantengerätepaket NI-780-4 |
Hersteller Ampleon USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 871.5MHz ~ 891.5MHz Gewinn 21dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 950mA Leistung - Leistung 26.5W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall SOT-502A Lieferantengerätepaket LDMOST |
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Hersteller Infineon Technologies Serie GOLDMOS® Transistortyp LDMOS Frequenz 1.5GHz Gewinn 16.5dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) 1µA Rauschzahl - Stromtest 1.5A Leistung - Leistung 150W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall 2-Flatpack, Fin Leads Lieferantengerätepaket H-30260-2 |
