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MMBFJ212

MMBFJ212

Nur als Referenz

Teilenummer MMBFJ212
PNEDA Teilenummer MMBFJ212
Beschreibung JFET N-CH 25V 40MA SOT23
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 5.148
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MMBFJ212 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMBFJ212
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MMBFJ212, MMBFJ212 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 199,31 KB)
PDFMMBFJ210 Datenblatt Cover
MMBFJ210 Datenblatt Seite 2 MMBFJ210 Datenblatt Seite 3 MMBFJ210 Datenblatt Seite 4 MMBFJ210 Datenblatt Seite 5 MMBFJ210 Datenblatt Seite 6

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MMBFJ212 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypN-Channel JFET
Frequenz-
Gewinn-
Spannungstest-
Nennstrom (Ampere)40mA
Rauschzahl-
Stromtest-
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung25V
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23-3

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

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Gewinn

19dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

5µA

Rauschzahl

-

Stromtest

400mA

Leistung - Leistung

600W

Spannung - Nennspannung

65V

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Lieferantengerätepaket

SOT502A

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4V

Nennstrom (Ampere)

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Rauschzahl

0.8dB

Stromtest

135mA

Leistung - Leistung

21.7dBm

Spannung - Nennspannung

7V

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

220MHz

Gewinn

23.9dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

30mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

TO-270BA

Lieferantengerätepaket

TO-270G-2

MRF9180R5

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

170W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-1230

Lieferantengerätepaket

NI-1230

BLA1011-10,112

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.03GHz ~ 1.09GHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

36V

Nennstrom (Ampere)

2.2A

Rauschzahl

-

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

75V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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