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MMBD4448W-7-F

MMBD4448W-7-F

Nur als Referenz

Teilenummer MMBD4448W-7-F
PNEDA Teilenummer MMBD4448W-7-F
Beschreibung DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT323
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 4.032
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MMBD4448W-7-F Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMBD4448W-7-F
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
MMBD4448W-7-F, MMBD4448W-7-F Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 78,23 KB)
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MMBD4448W-7-F Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)75V
Current - Average Rectified (Io)250mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.25V @ 150mA
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)4ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr1µA @ 75V
Kapazität @ Vr, F.2pF @ 0V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23-3
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C

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Hersteller

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Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F-2L

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

AS1PG-M3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 1.5A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.5µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

10.4pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-220AA

Lieferantengerätepaket

DO-220AA (SMP)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

DB2W31800L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

430mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

23ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

70pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123F

Lieferantengerätepaket

Mini2-F3-B

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

JANTXV1N5806URS

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/477

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

875mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

25pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SQ-MELF, A

Lieferantengerätepaket

A-MELF

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

S10GC V6G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

60pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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