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MLD1N06CLT4G

MLD1N06CLT4G

Nur als Referenz

Teilenummer MLD1N06CLT4G
PNEDA Teilenummer MLD1N06CLT4G
Beschreibung IC MOSFET POWER N-CH 1A 65V DPAK
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.308
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MLD1N06CLT4G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMLD1N06CLT4G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Spezialzweck
Datenblatt
MLD1N06CLT4G, MLD1N06CLT4G Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 166,23 KB)
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MLD1N06CLT4G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieSMARTDISCRETES™
TransistortypNPN, N-Channel Gate-Drain, Source Clamp
AnwendungenGeneral Purpose
Spannung - Nennspannung65V
Nennstrom (Ampere)1A
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketDPAK

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12V PNP, 30V N Channel

Nennstrom (Ampere)

500mA PNP, 100mA N Channel

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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ALD910016SALI

Advanced Linear Devices Inc.

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

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Transistortyp

2 N-Channel (Dual)

Anwendungen

Supercapacitor Auto Balancing

Spannung - Nennspannung

10.6V

Nennstrom (Ampere)

80mA

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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8-SOIC

BCV 61A E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

2 NPN, Base Collector Junction

Anwendungen

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Spannung - Nennspannung

30V

Nennstrom (Ampere)

100mA

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

PG-SOT143-4

ALD910021SAL

Advanced Linear Devices Inc.

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

SAB™

Transistortyp

2 N-Channel (Dual)

Anwendungen

Supercapacitor Auto Balancing

Spannung - Nennspannung

10.6V

Nennstrom (Ampere)

80mA

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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