Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

MJE700G

MJE700G

Nur als Referenz

Teilenummer MJE700G
PNEDA Teilenummer MJE700G
Beschreibung TRANS PNP DARL 60V 4A TO225AA
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 19.680
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MJE700G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMJE700G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
MJE700G, MJE700G Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 134,41 KB)
PDFMJE703 Datenblatt Cover
MJE703 Datenblatt Seite 2 MJE703 Datenblatt Seite 3 MJE703 Datenblatt Seite 4 MJE703 Datenblatt Seite 5 MJE703 Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • MJE700G Datasheet
  • where to find MJE700G
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor MJE700G
  • MJE700G PDF Datasheet
  • MJE700G Stock

  • MJE700G Pinout
  • Datasheet MJE700G
  • MJE700G Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • MJE700G Price
  • MJE700G Distributor

MJE700G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypPNP - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)4A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)60V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic2.5V @ 30mA, 1.5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce750 @ 1.5A, 3V
Leistung - max40W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-225AA, TO-126-3
LieferantengerätepaketTO-225AA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

BDP948H6433XTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

85 @ 500mA, 1V

Leistung - max

5W

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

PG-SOT223-4

BD434STU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

22V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 5V

Leistung - max

36W

Frequenz - Übergang

3MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-225AA, TO-126-3

Lieferantengerätepaket

TO-126-3

KSH31CTM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 375mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 3A, 4V

Leistung - max

1.56W

Frequenz - Übergang

3MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

BDV64B

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2V @ 20mA, 5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 4V

Leistung - max

125W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-218-3

Lieferantengerätepaket

SOT-93

BCX5316TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 2V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89-3

Kürzlich verkauft

BAT54A-7-F

BAT54A-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3

VS-VSKU91/04

VS-VSKU91/04

Vishay Semiconductor Diodes Division

MODULE THYRISTOR 95A ADD-A-PAK

74LVC02AD,118

74LVC02AD,118

Nexperia

IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SO

IRF9Z24NPBF

IRF9Z24NPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 12A TO-220AB

IRFU9024NPBF

IRFU9024NPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK

N25Q256A13ESF40G

N25Q256A13ESF40G

Micron Technology Inc.

IC FLASH 256M SPI 108MHZ 16SOP2

BC857B

BC857B

STMicroelectronics

TRANS PNP 45V 0.1A SOT23

BAT20JFILM

BAT20JFILM

STMicroelectronics

DIODE SCHOTTKY 23V 1A SOD323

MPC9448ACR2

MPC9448ACR2

IDT, Integrated Device Technology

IC CLK BUFFER 1:12 350MHZ 32TQFP

KSZ9031RNXIC

KSZ9031RNXIC

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER FULL 4/4 48QFN

B3S-1002P

B3S-1002P

Omron Electronics Inc-EMC Div

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V

MAX3221EETE+

MAX3221EETE+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 16TQFN