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MJE13003G

MJE13003G

Nur als Referenz

Teilenummer MJE13003G
PNEDA Teilenummer MJE13003G
Beschreibung TRANS NPN 400V 1.5A TO-225
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.798
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MJE13003G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMJE13003G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
MJE13003G, MJE13003G Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 107,46 KB)
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MJE13003G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieSWITCHMODE™
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1.5A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)400V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic3V @ 500mA, 1.5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce8 @ 500mA, 2V
Leistung - max1.4W
Frequenz - Übergang10MHz
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-225AA, TO-126-3
LieferantengerätepaketTO-225AA

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

Leistung - max

330mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

JANTXV2N3868S

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/350

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 250mA, 2.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 1.5A, 2V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-39 (TO-205AD)

2SB1197KT146R

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

32V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 3V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SMT3

TIP112-BP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 8mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 1A, 4V

Leistung - max

50W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

CMPT2484 TR

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

350mV @ 100µA, 1mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

250 @ 1mA, 5V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

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