MJD45H11G
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| Teilenummer | MJD45H11G |
| PNEDA Teilenummer | MJD45H11G |
| Beschreibung | TRANS PNP 80V 8A DPAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 12.630 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 20 - Nov 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MJD45H11G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MJD45H11G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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MJD45H11G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 8A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 80V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1μA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
| Leistung - max | 1.75W |
| Frequenz - Übergang | 90MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 5V Leistung - max 350mW Frequenz - Übergang 150MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
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