MJD41CT4G
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| Teilenummer | MJD41CT4G |
| PNEDA Teilenummer | MJD41CT4G |
| Beschreibung | TRANS NPN 100V 6A DPAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 73.650 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 5 - Nov 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MJD41CT4G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MJD41CT4G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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MJD41CT4G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 6A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 100V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 600mA, 6A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 50µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 15 @ 3A, 4V |
| Leistung - max | 1.75W |
| Frequenz - Übergang | 3MHz |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 290mV @ 100mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 2V Leistung - max 1.3W Frequenz - Übergang 380MHz Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket PCP |
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