MJD200
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| Teilenummer | MJD200 |
| PNEDA Teilenummer | MJD200 |
| Beschreibung | TRANS NPN 25V 5A DPAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.388 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 13 - Mär 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MJD200 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MJD200 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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MJD200 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 5A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 25V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1A, 5A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 45 @ 2A, 1V |
| Leistung - max | 1.4W |
| Frequenz - Übergang | 65MHz |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 3mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 5000 @ 3A, 2V Leistung - max 1.5W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 6mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 10V Leistung - max 2.8W Frequenz - Übergang 50MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerDI™ 5 Lieferantengerätepaket PowerDI™ 5 |
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