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MJ21194G

MJ21194G

Nur als Referenz

Teilenummer MJ21194G
PNEDA Teilenummer MJ21194G
Beschreibung TRANS NPN 250V 16A TO3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.724
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 25 - Jan 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MJ21194G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMJ21194G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
MJ21194G, MJ21194G Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 172,19 KB)
PDFMJ21194G Datenblatt Cover
MJ21194G Datenblatt Seite 2 MJ21194G Datenblatt Seite 3 MJ21194G Datenblatt Seite 4 MJ21194G Datenblatt Seite 5 MJ21194G Datenblatt Seite 6 MJ21194G Datenblatt Seite 7

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MJ21194G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)16A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)250V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic4V @ 3.2A, 16A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce25 @ 8A, 5V
Leistung - max250W
Frequenz - Übergang4MHz
Betriebstemperatur-65°C ~ 200°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-204AA, TO-3
LieferantengerätepaketTO-204 (TO-3)

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/545

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 500mA, 5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 2.5A, 5V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-5

2N3964

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

250 @ 1mA, 5V

Leistung - max

360mW

Frequenz - Übergang

50MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-18

2SD2150T100R

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 100mA, 2V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

290MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

MPT3

PN2369_D26Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

400nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 1V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

JANTXV2N5339U3

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/560

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 500mA, 5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 2A, 2V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-39 (TO-205AD)

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